1. Na jakém tématu/projektu jste v poslední době pracoval? Jaké jsou nejzajímavější výsledky, kterých jste dosáhl?
2. Co vám na práci v SÚJV nejvíce vyhovuje?
3. Prospívá pobyt v SÚJV vaší vědecké kariéře? Spojujete s Ústavem své další působení ve vědě?

V rámci riešenia rozsiahleho projektu SÚJV Dubna „Neurýchľovačová neutrínová fyzika a astrofyzika“ sa v oddeleni „Polovodičových detektorov a scintilátorov“ podielam na vývoji, realizácií, meraní vlastností a testovaní radiačnej odolnosti detektorov jadrového žiarenia zhotovených z karbidu kremíka (SiC).

Potreba kvalitných detektorov, ktorých radiačná odolnosť voči žiareniu je výrazne vyššia ako u najpoužívanejších kremíkových (Si) detektorov a súčasne schopných pracovať pri teplotách až do 400 stupňov je výzvou pre výskumníkov a producentov detektorov. Jedným z vhodných materiálov na produkciu takýchto detektorov je aj SiC.

Pri svojej práci využívam kooperáciu medzi materským pracoviskom v Elektrotechnickom ústave SAV (ElÚ SAV) kde sú vytvorené vhodné podmienky na prípravu detektorov (čisté priestory, technologické zariadenia, kvalifikovaný personál) a SÚJV Dubna kde vykonávam experimenty s detektormi vyrobenými v ElÚ SAV. Tu mám možnosť využívať techniku nedostupnú v ElÚ SAV, napr. špeciálnu meraciu techniku,  rádioaktivne zdroje žiarenia, urýchľovače častíc na ožarovanie detektorov a pod. Pripravené a zmerané SiC detektory sa následne ožarujú rôznymi dávkami neutrónov, ťažkých iónov resp. elektrónov v jednotlivých laboratóriách SÚJV a študujú sa  zmeny ich vlastností po ich ožiarení. Na meranie elektrických i detekčných vlastností detektorov pred i po ožiarení využívam inovované pracovisko so špičkovou meraciou technikou, napr. 4200A-SCS Parameter Analyzer a 2657A High Power System Source Meter od firmy Keithley.

Z  opublikovaných výsledkov vyplýva, že SiC detektory vykazujú veľmi dobré detekčné parametre, čo umožňuje používať ich pri experimentoch, napr. na detekciu iónov Xe na cyklotróne IC-100. Ich radiačná odolnosť voči ťažkým iónom Xe je takmer 100-krát vyššia v porovnaní s analogickými Si detektormi. Významné sú i merania  elektrických i detekčných charakteristík vykonaných na detektoroch a polovodičových štruktúrach spolu s analýzou ich parametrov.

Podmienky práce v SÚJV mi vyhovujú z mnohých dôvodov – je to svetové pracovisko kde sa takmer každý deň dá naučiť niečo nové od mojích kolegov. Dubna je pekné mesto s veľkými kultúrnymi a športovými možnosťami a tiež dobrým zásobovaním, obklopené lesmi a riekou Volgou. To, že ústav sa nachádza prakticky v lese, že od bytu na pracovisko mám iba 2 km, iba potvrdzuje, že je to príjemné miesto na prácu i oddych.                                                           

Do SÚJV som sa prvýkrát dostal v roku 1981 a odvtedy som tu bol mnohokrát na krátkodobých i dlhodobom pobyte. Za toto obdobie som mal možnosť osobne stretnúť významných ruských i svetových vedcov. Z nich spomeniem aspoň I.M. Franka (nositeľa Nobelovej ceny), G.N. Flerova (jedného z tvorcov prvej Sovietskej atómovej bomby) a J.T. Oganessiana (jediného žijúceho vedca ktorého menom je nazvaný 118-ty prvok Mendelejevovej tabuľky, vlastním jeho podpis s venovaním).

Veľmi ma teší záujem zo strany SÚJV i ElÚ SAV o spoločné aktivity s použitím SiC detektorov pri reálnych experimentoch (napr. meranie tzv. Amplitúdového deficitu) a som rád, že mám možnosť testovať a študovať vyrobené detektory a rôzné mikroelektronické štruktúry voči rádioaktívnemu žiareniu v SÚJV i v blízkej budúcnosti.